美国研究团队最新研制出存算一体CRAM技术

7 月 31 日消息，来自明尼苏达大学双城校区的研究团队最新研制出计算随机存取存储器（CRAM），可以将 AI 芯片的能耗降至千分之一。

发表于：2024/8/1 上午10:18:26

美国推迟对中国电动汽车等产品加征关税

8 月 1 日消息，美国计划对中国进口电动汽车征收 100% 关税的政策不仅浇灭了极氪、比亚迪等中国车企进军美国市场的热情，也给美国本土汽车制造商带来了不小的麻烦，原本计划于 2025 年和 2026 年进入美国市场的别克 Electra E5 和 E4 车型因关税问题被迫搁置。

发表于：2024/8/1 上午10:07:02

消息称2025年中国SiC芯片价格将下降高达30%

据报道，业内人士表示，预计未来两年中国碳化硅（SiC）芯片价格将下降高达30%。 这归因于越来越多的本地生产商获得电动汽车认证并扩大了其制造能力。消息人士称，预计中国供应商的SiC元件将在2025年底开始大规模渗透电动汽车市场，打破国际供应商在该市场的主导地位。

发表于：2024/8/1 上午9:55:21

美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术

美光宣布量产第九代TLC NAND闪存技术：写入速度比竞品快99%！

发表于：2024/8/1 上午9:50:05

维信诺联合昇显和睿科微电子完成世界首颗嵌入式RRAM存储技术AMOLED显示驱动芯片的开发和认证

维信诺联合昇显、睿科微电子完成世界首颗嵌入式 RRAM 存储技术 AMOLED 显示驱动芯片的开发和认证

发表于：2024/8/1 上午9:43:00

二季度开始Intel每月为NVIDIA生产5000块晶圆

Intel从二季度开始，每月可为NVIDIA生产5000块晶圆

发表于：2024/8/1 上午9:35:00

英伟达Blackwell高耗能推动AI服务器水冷方案发展

集邦咨询：英伟达 Blackwell 高耗能推动散热需求，预估年底 AI 服务器水冷方案渗透率达 10%

发表于：2024/8/1 上午9:28:00

消息称三星电子V9 QLC NAND闪存尚未获量产就绪许可

7 月 31 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子 V9 NAND 闪存的 QLC 版本尚未获得量产许可，对平泽 P4 工厂的产线建设规划造成了影响。 三星电子今年 4 月宣布其 V9 NAND 闪存的 1Tb 容量 TLC 版本实现量产，对应的 QLC 版本则将于今年下半年进入量产阶段。 然而直到现在，三星电子并未对 V9 QLC NAND 闪存下达 PRA（IT之家注：应指 Production Readiness Approval）量产就绪许可。而容量更高、成本更低的 QLC 闪存目前正是 AI 推理服务器存储需求的热点。 明星产品前景不明，使得三星电子内部对是否将平泽 P4 工厂第一阶段完全用于 NAND 生产存在不同声音。

发表于：2024/8/1 上午9:20:00

消息指SK海力士400+层闪存明年末量产就绪

消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪

发表于：2024/8/1 上午9:13:00

三星将主导6G标准制定？

在今年7月初于瑞士日内瓦举行的国际电信联盟无线电通信部门（ITU-R）工作组5D（WP 5D）会议上，三星研究院的研究员HyoungJin Choi被任命为IMT-2030（6G）协调小组主席。这是Choi第二次担任ITU-R参与6G标准化的小组主席，此前他曾在2021年至2023年期间领导6G Vision Group。三星表示，该协调小组将负责定义制定6G技术标准的流程，并为候选6G技术创建提交模板，并审查候选提案。

发表于：2024/8/1 上午9:06:00