罗克韦尔自动化亮相第七届进博会，三大引擎链动可持续未来

　　（2024年11月6日，中国上海）作为工业自动化、信息化和数字化转型领域的全球领先企业之一，罗克韦尔自动化连续四年亮相第七届中国国际进口博览会（简称“进博会”）技术装备展区4.1展馆B3-04展台。聚焦中国制造业高端化、智能化、绿色化发展趋势，在此次进博会展台上，罗克韦尔自动化作为生产性服务业链主，充分链动起在数智创新、净零价值和跨界生态方面的实践成果，同时依托这三大引擎，汇聚生态合作伙伴，合力推动产业可持续发展和绿色可持续发展，持续激发新质生产力的蓬勃活力，引领未来无限可能。

发表于：2024/11/11 下午11:01:51

中国商业航天企业首次出海发射

11月11日讯 国家航天局总工程师李国平今日（11月11日）在2024珠海论坛商业航天发展论坛上表示，鼓励支持商业航天企业平等参与国家工程项目；建议推进商业航天共建共享；支持商业航天企业“走出去”，支持卫星出口、数据应用、国际商业发射服务等。 同时他透露，正在会同国家发改委等有关部门，研究编制《国家民用空间基础设施中长期发展规划（2026-2035）》。 同样是在今日，由广州中科宇航探索技术有限公司（以下简称中科宇航）研制的力箭一号遥五运载火箭顺利将15颗卫星送入预定轨道。

发表于：2024/11/11 下午4:43:41

美商务部已发函要求台积电暂停7nm及以下制程AI芯片出口大陆

据路透社援引知情人士的话报道称，美国已要求台积电于今年11月11日起，暂停出货采用7nm以下制程、用于人工智能（AI）应用的部分先进芯片给中国大陆客户。知情人士指出，美国商务部已致函台积电，要求其对某些出货中国大陆的7nm以下制程先进芯片，实施出口管制。这些芯片主要用于AI加速器和绘图处理器（GPU）。

发表于：2024/11/11 下午1:01:00

三星第一代3nm GAA制程良率仅60%

尽管三星的自研处理器Exynos 2500已两次出现在测试软件Geekbench上，但它不太可能会用于2025年即将推出的Galaxy S25或Galaxy S25 Plus智慧型手机上。这可能是因为三星在用于制造智能手机处理器的第二代3nm GAA制程技术3GAP仍有良率问题。 11月8日消息，据韩国媒体Sisa Journal报道，三星第二代3nm GAA制程良率目前仅有20%，进一步印证了之前其他媒体的类似报道。尽管三星表示正在努力提高3GAP制程技术的良率，但并没有取得太多成果。不过，Sisa Journal报导的20%数字有可能是基于旧数据。但即便如此，三星第二代3nm GAA制程技目前可能仍不足以进行大规模生产。

发表于：2024/11/11 上午11:44:06

2025年成MicroLED量产元年

日前，深天马A、京东方A、友达光电等多家头部面板厂商MicroLED相关产线即将于2025年量产，MicroLED技术的大规模商用或已在不远处。“我们认为，在大屏的玻璃基MicroLED已经商转之后，下一个应用，应该会聚焦在车用显示上。”TrendForce集邦科技资深研究副总经理邱宇彬向记者表示。 拥有高亮度、广色域、高可靠性的MicroLED技术一直被视作“下一代显示技术”，但由于此前苹果手表暂停MicroLED技术研发，有部分观点对MicroLED技术的未来表示迷茫。分析人士认为，由于MicroLED自身优越的性能，其在多领域的应用存在不可替代性。

发表于：2024/11/11 上午11:32:03

京东方宣布全球首条6英寸Micro LED量产线投产

11月8日消息，今日，京东方华灿光电官方宣布，全球首条6英寸Micro LED量产产线在珠海正式投产。 据了解，日前，京东方华灿Micro LED晶圆制造和封装测试基地项目投产仪式在珠海金湾区举行。 该项目是全球首个实现规模化量产的Micro LED生产线，也是全球首条6英寸Micro LED生产线。

发表于：2024/11/11 上午11:25:00

ITC终裁确认英诺赛科客户不受英诺赛科与EPC专利纠纷影响

11月8日消息，致力于创建基于高性能、低成本、硅基氮化镓（GaN-on-Si）电源解决方案的全球能源生态系统的企业英诺赛科今天宣布，美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）2024年11月7日发布的337调查终裁决定证实，英诺赛科的客户将其产品进口到美国的合法性不受英诺赛科和宜普电源转换公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）之间正在进行的专利纠纷的影响。 英诺赛科成立于 2015 年，目前已经成为全球最大的 氮化镓半导体器件IDM（全产业链模式）制造商，集成并简化了包括设计、制造、封装、电路应用和销售在内的所有流程，持续引领氮化镓技术前沿。我们开发出的产品覆盖从低压30V到高压700V的全电压等级范围。英诺赛科拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造能力，这能够显著降低我们的生产成本。

发表于：2024/11/11 上午11:14:38

美国国际贸易委员会终裁确认英诺赛科侵权

宜普电源转换公司胜诉，美国国际贸易委员会终裁确认英诺赛科侵权

发表于：2024/11/11 上午11:00:22

中国台湾经济部：目前禁止台积电在海外生产2nm芯片

中国台湾经济部：目前禁止台积电在海外生产2nm芯片 11月11日消息，据台北时报报道，中国台湾省经济部长郭智辉近日在台北举行的立法机构经济委员会会议上公开表示，台湾的科技保护规则使得台积电目前无法在海外生产2nm芯片，因此该公司必须将其最前沿的技术留在中国台湾。 报道称，在美国前总统唐纳德·特朗普于上周二再次当选下一任美国总统后，外界传出消息称，台积电可能被迫提前在其位于美国亚利桑那州的晶圆厂生产最先进的2nm芯片。郭智辉发表上述言论正是为了回应外界对此事的担忧。

发表于：2024/11/11 上午10:51:00

DDR4内存正逐渐被放弃

11月10日消息，据媒体报道，随着技术的进步和市场需求的变化，DDR4内存正逐渐被存储巨头放弃。 在近日的财报电话会议上，存储巨头三星和SK海力士都强调了接下来会将重点转移到高利润的高端产品上。 同时可能会减少DRAM和NAND闪存的产量，特别是传统类型的产品。 其中SK海力士计划逐步降低DDR4的生产比重，今年第3季度DDR4的生产比重已从第2季度的40%降至30%，第4季度更计划进一步降至20%。

发表于：2024/11/11 上午10:41:33