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SiC深沟槽ICP刻蚀轮廓质量协同调控与工艺适配研究
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标签： SiC 深沟槽 ICP刻蚀
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文档介绍：为解决SiC深沟槽ICP刻蚀中刻蚀速率、侧壁角、选择比及片内一致性难以协同优化的问题，该文基于常规沟槽、超结结构及贴假片样片的截面SEM结果与同批次工艺记录，建立轮廓质量协同评价体系。结果表明，O2比例由6%增至12%时，侧壁角由82.5°提高至85.8°，选择比由5.2提高至7.2，中心-边缘差异由12%降至7%；SF6流量由30 cm3/min增至80 cm3/min时，刻蚀速率由0.18 μm/min提高至0.32 μm/min，选择比由7.5降至5.1。对88 mTorr、200 mTorr、300 mTorr和400 mTorr四组压力（1 mTorr≈0.133 Pa）进行比较后发现，200～300 mTorr能够在刻蚀速率、选择比与底部形貌之间取得较好平衡，其中200 mTorr未观察到底部残留，300 mTorr仅出现轻微残留，而400 mTorr出现明显残留。超结沟槽对底部残留、有效选择比和回填适配性更为敏感，贴假片工况会增大中心-边缘差异并降低侧壁质量。基于上述规律形成的工艺窗口重构方法可用于同一设备平台、相近掩膜体系和相似图形尺度下的工艺迁移与参数补偿。
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