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三星HBM押注下一代存储技术CXL
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NEO Semiconductor宣布推出3D X-AI芯片技术
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HBM带动三大内存原厂均跻身2024Q1半导体IDM企业营收前四
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美光加码投资台湾建立第二研发中心
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SK海力士获美国芯片法案4.5亿美元补贴
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2025年全球存储芯片市场将达2340亿美元
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传中企囤积三星HBM芯片以应对美出口管制
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三星芯片主管警告：不改革将陷入“恶性循环”
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消息称SK海力士进军2.5D先进封装硅中介层
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传称三星将转移30%产能生产HBM
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信越推出新型后端制造设备可直接实现HBM内存2.5D集成
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报告称HBM芯片明年月产能突破54万颗
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三星成立新的HBM团队推进HBM3E和HBM4开发工作
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（更新：三星否认）消息称三星HBM内存芯片通过英伟达测试
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美光2025年欲抢下25%的HBM市场
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HBM旺盛需求带动半导体硅片需求倍增
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SK海力士公布近750亿美元投资计划
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三星SK海力士都将在新一代HBM中采用混合键合技术
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消息称美光正在全球扩张HBM内存产能
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HBM订单2025年已预订一空
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消息称三星将推出HBM三维封装技术SAINT-D
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浅析HBM五大关键门槛
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英伟达今年将消耗全球47%的HBM
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传美国将进一步限制GAA技术及HBM对华出口
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SK集团会长拜访台积电 强化HBM芯片制造合作
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三星否认自家HBM内存芯片未通过英伟达测试
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