头条 美中印欧等正合作打造RISC-V开放标准芯片架构 7 月 8 日消息，据南华早报 7 月 7 日报道，阿里巴巴集团副总裁、达摩院玄铁团队负责人戚肖宁表示，尽管美中技术竞争激烈，但全球 RISC-V 芯片架构合作依然坚韧。 最新资讯 三星Exynos 2700将采用全新SbS散热技术 6月22日消息，据外媒Wccftec报道，韩国三星电子正积极开发基于其2nm制程的下一代旗舰移动处理器Exynos 2700，以展现其在先进制程技术上的实力。但市场消息指出，三星的2奈米GAA制程在功耗、性能与面积（PPA）等关键指标上，目前仍落后于竞争对手台积电的N2P制程。为了弥补潜在的制程劣势并维持竞争力，三星正致力于研发突破性的SbS散热解决方案，力图在旗舰芯片市场中站稳脚步。 发表于：2026/6/23 英诺赛科再获德国法院不侵权判决 2026年6月19日，英诺赛科通过官网宣布，根据慕尼黑地区法院于17日作出的两项裁决，英诺赛科当前销售的氮化镓（“GaN”）功率器件产品不落入英飞凌主张的德国专利保护范围，因而在德国不受限制。 发表于：2026/6/22 中国科学院微电子所突破3D DRAM技术 6 月 20 日消息，中国科学院微电子研究所 6 月 17 日发布消息称，集成电路制造技术全国重点实验室团队联合北京超弦设备研究院，在基于 IGZO（铟镓锌氧化物）的 2T0C 三维动态随机存取存储器（3D DRAM）研究方面取得新进展，并提出基于 2T0C 单元结构的单步高层三维集成方案，首次展示了四层 3D 2T0C 结构。 发表于：2026/6/22 闪迪新专利将NAND堆叠于GPU之下破解AI内存墙 6 月 22 日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。 发表于：2026/6/22 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 发表于：2026/6/22 龙芯中科发布纯血全自研工作站 6月18日消息，日前，龙芯中科宣布，联合砺算科技、挚科正式发布乾启ZK3C60S-W全自研国产专业工作站。 发表于：2026/6/18 游戏多开无压力！2026 高性能旗舰手机选购推荐 本次选取三款 2026 年上市的高性能机型，从产品简介、核心配置、性能参数、跑分、游戏与多任务体验等维度逐一解析。 发表于：2026/6/18 三星电子展示全球首款5nm MRAM研发成果 6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。 发表于：2026/6/18 我国团队攻克国产芯片编译优化核心瓶颈 6月17日消息，大连理工大学“双擎智译”科研团队自主研发的OSCAR智能编译优化系统，攻克了国产芯片编译优化核心瓶颈，有效提升国产处理器高性能编译水平，为国产芯片性能迭代与生态建设提供了可靠技术方案。 发表于：2026/6/18 三星造出全球最小3D堆叠晶体管！ 6月17日消息，三星电子半导体研究中心在6月14日至18日举行的2026年超大规模集成电路研讨会上发表了题为“首次演示栅极间距为42纳米的3D堆叠场效应晶体管，该晶体管采用三层堆叠纳米片沟道，适用于先进逻辑应用”的论文。 发表于：2026/6/18 <…6789101112131415…>
