消费电子最新文章 石墨烯晶体管诞生 可打造100GHz超高频处理器 多年来，石墨烯一直被视为最有前途的材料，尤其是能让电子设备变得更小、更高效。现在，科学家们制造了一种新型石墨烯晶体管，使用它打造的处理器未来将能够跑到100GHz的超高频率。 这一技术突破来自莫斯科物理技术学院(MIPT)，他们打造的这种双层石墨烯晶体管(Bilayer graphene transistor)不仅可以高频率运行，电压和功耗还特别低，因为开关切换所需的能量极小，是传统硅材料晶体管所无法比拟的。 发表于：2016/8/16 美开发超低功耗碳材料RF晶体管 如果我们的智能手机可以一个礼拜充电一次、不用每天都上插头，那该有多好？一家来自美国加州洛杉矶附近滨海小城Marina del Ray的公司Carbonics所开发之技术，可望能让我们实现以上梦想。 Carbonics执行长Kos Galatsis表示，若只是一味地微缩半导体制程，对电子元件的未来发展其实是种阻碍：“半导体元件需要新的材料与设计，才能进一步提升使用者体验。”可惜的是，这并非一蹴可几，不过若以碳材料取代矽来制作半导体元件，就有可能在不久的将来实现一个礼拜充电一次就可以的智能手机。 发表于：2016/8/16 美国苹果公司选择鼎阳科技X系列频谱仪SSA3000X 2016年7月18日，Cupertino, CA 美国苹果公司选择鼎阳科技X系列频谱分析仪SSA3000X。 发表于：2016/8/16 传华亚科7月已转盈 美光收购案添利基 DRAM大厂美光收购旗下华亚科全数股权案仍在进行中，目前市场传出，由于近期DRAM价格回升，使得华亚科7月已出现单月转盈的好表现，营运走出谷底，使得美光收购该公司一案更添利基。 发表于：2016/8/16 这是真的吗 英特尔和ARM合组同“芯”CPU 2015年底，英特尔完成了对FPGA主流厂商Altera的收购。业界说这是一场双赢的“豪门婚姻”，如今大半年已过，且不论对英特尔未来战略布局的影响，想想FPGA领域的其它玩家，喜耶悲耶？到底是少了一个劲敌还是无形中多了一个巨无霸对手？凭借英特尔的生态系统和代工实力，未来会有怎样的新玩法搅局？ 发表于：2016/8/16 高通骁龙65X继任者将与海思麒麟960竞争 自去年的骁龙810出现发热问题后，高通开始将采用ARM公版核心的芯片定位为中低端产品应对联发科和华为海思的挑战，而自主架构芯片则定位高端市场，这一策略在今年取得了巨大的成功。 发表于：2016/8/16 高通在可穿戴、无人机、车联网等领域强势布局 在很多人眼中，高通似乎只有为智能手机设计的 Snapdragon 系列处理器，毕竟今天众人熟知的大多数旗舰级智能手机，均搭载了 Snapdragon 芯片，哪怕是全球第一大智能手机厂商三星也依赖于高通。因此就有人认为，芯片一旦碰到问题比如“过热”，高通便会就此沉沦。事实上，高通已经开始了芯片多元化道路。 发表于：2016/8/16 物联网平台是人工智能最灵敏的眼耳鼻舌 数字时代，信息技术正在朝着更智能化的方向飞速发展。当国内大批的创业者仍在追逐互联网浪潮下的创业风口，作为全球科技导向的榜样式标杆，硅谷以人工智能为代表的新一代产业群正在崛起。我们似乎可以预见，人工智能的时代即将全面到来。 发表于：2016/8/16 VR未来趋势怎样 VR 2.0将迎来这五大改变 2016年早已过半，而历时四年开发的Oculus Rift也终于可以开放购买了。从现有的硬件上，我们感受到了Palmer Luckey满满的诚意，第一代产品能打磨的如此细致实属不易。同时，VR这一新生事物也顺势成了科技界的香饽饽，它吸引了从顶级游戏开发者到纪录片导演的目光。 发表于：2016/8/16 摩尔定律预言晶体管将在2021年停止缩减 本月早些时候公布的2015年半导体国际技术路线图显示，经过50多年的小型化，晶体管可能将在短短五年间停止缩减。该报告的预测，到2021年之后，继续缩微处理器当中小晶体管的尺寸，对公司来说不再经济。相反，芯片制造商将使用其它手段提升晶体管密度，即从水平专到垂直，建立多层电路。 发表于：2016/8/15 回顾晶体管历史岁月 1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和沃特·布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 1950年：威廉·邵克雷开发出双极晶体管（Bipolar Junction Transistor），这是现在通行的标准的晶体管。 1953年：第一个采用晶体管的商业化设备投入市场，即助听器。 发表于：2016/8/15 晶体管的分类及重要性 电力晶体管 电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。 发表于：2016/8/15 晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 发表于：2016/8/15 单层二维材料可批量制造超薄晶体管 一种叫做二硫化钼的二维新材料可以在硅衬底上长出单层薄膜，为柔性电子器件的生产开辟了条新路。 用仅有几个原子那么厚的薄膜做出微型、柔性的电路，一直是研究人员的梦想。然而，把这类二维薄膜生长到需要的规模，并生产出成批可靠的电子设备一直是个难题。 发表于：2016/8/15 计算机行业:人工智能时代“晶体管”横空出世,IBM制成首个相变神经元 事件:美国当地时间8月3日,IBM官方宣布其苏黎世研究中心制成了世界上第一个人造纳米尺度随机相变神经元,可用于制造高密度、低功耗的认知学习芯片。 IBM已经构建了由500个该神经元组成的阵列,并让该阵列以模拟人类大脑的工作方式进行信号处理。 发表于：2016/8/15 <…1458145914601461146214631464146514661467…>
