消费电子最新文章 绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数 绝缘栅双极晶体管原理、特点及参数 绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。 发表于：2016/8/17 程控单结晶体管(PUT)应用及原理 程控单结晶体管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又称可编程单结晶体管或可调单结晶体管，程控单结晶体管实质上是一个N极门控晶闸管的功能，但因它与单结晶体管的用途相近，故纳入单结管之列。它与单结晶体管也有重工区别。单结管一经制成，从外部就无法改变rB1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等参数值，加之工艺的离散性导致同类单结管的ηV值总会存在一定的偏差，这就给用记带来不便。程控单结晶体管圆满解决了上述问题，它是用外部电阻R1、R2取代内基极电阻rB1、rB2，只需改变二者的电阻比，即可从外部调整其参数值。正是由于PUT器件使用灵活，用途广泛，因此颇受使用者欢迎。 发表于：2016/8/17 “简洁至上”的晶体管甲类音频功率放大器 Hi－Fi界有一句至理名言，就是“简洁至上”。这就是说，假如能用一个元件或器件做成的电路，就尽量不用两个。电子电路中常用的电子元件有电阻、电容、电感等，常用的电子器件有二极管、三极管及集成电路等。电阻、电容都属于线性元件，在放大电路中可以认为不会因它们而产生非线性失真。但是，目前用于放大的电子器件，不论是电子管、晶体管，还是集成电路，统统都是非线性器件，它们是放大电路中产生非线性失真的根源。因此，在放大电路中应尽量少用管子。要做到这一点也并非容易，所以通常所见到的放大电路都比较复杂。要想“简洁”，必须解决两个问题：一是放大倍数要足够大，至少应该在接CD机时能够达到额定的输出功率；二是非线性失真要尽量小些，在不加负反馈或只加少量的负反馈时，谐波失真系数能够达到Hi－Fi要求。 发表于：2016/8/17 22纳米3D晶体管技术 Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破，沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构，一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。 发表于：2016/8/17 苹果新技能来了 iPhone 7或配快充标准 当所有安卓手机都已经把快充作为标配时候，苹果好像两耳听不闻。快充已经是现在智能手机上一项非常成熟的技术了，可是苹果并没有在之前手机中采用，而对快充也是闭口不谈。 发表于：2016/8/17 海尔因纵向垄断被上海罚逾1234万元 国家发改委网站上的一条消息日前引起家电行业的热议。海尔的3家下属公司，因与经销商签署限价协议，触犯了《反垄断法》，被上海市物价局处以1234.80万元的处罚，相当于3家公司上一年度市场销售额的3%。 发表于：2016/8/17 英特尔与ARM达成新的授权协议 在旧金山召开的英特尔全球开发者论坛（IDF），英特尔发布了诸多布局新技术领域的产品，包括融合现实MR眼罩、物联网芯片焦耳（Joule）。但有一个非产品的消息同样引起了媒体关注。英特尔已经与ARM达成了新的授权协议，英特尔工厂未来将可以生产ARM芯片。 发表于：2016/8/17 夏普人才流失 高层批评员工无节操 据外媒报道，尽管在之前的股东大会上，夏普股东相继表示了“应该加以限制，5年、10年内不得跳槽至同行业的其他公司”，仍然无法阻挡前经营层就任其他公司要职。夏普公司在8月12日完成了接受台湾鸿海精密工业公司注资的手续，正式成为鸿海的子公司。看上去虽然避免了资金层面的经营危机，但却阻挡不了优秀人才流向竞争对手的危机。这一情况不仅利于对手，还有可能导致夏普对核心的液晶及太阳能业务的重建工作陷入停滞。 发表于：2016/8/17 曲面显示优劣参半 曲面显示并没有宣传中那么美 曲面显示火了，在曲面电视打开局面之后，曲面显示器又风风火火地展开了市场宣传，一时间曲面能够带来沉浸感、画质更逼真的宣传词四处飞扬。但事实上，曲面显示跟所有显示技术一样，也存在很多短板和缺陷，曲面显示器在宣传上也存在着诸多的不实之处，PPT中所讲述的理论优势和实际使用情景也存在巨大的落差，所以在对新事物保持好奇和包容的前提下，消费者也有权利对曲面显示器的弊端有清醒的认识，这样才能做出更理性的购买决策。 发表于：2016/8/17 云计算发展新趋势 10年后或将开启2.0时代 今年 3 月，李世石大战 AlphaGo 前夕，Google Research 高级研究员，Google Brain 团队负责人Jeff Dean 召开了一场发布会，可能由于比赛在即，众多媒体并没有对这场发布会太过关注，但 Jeff Dean 却透露出 Google 的重大战略思考：将包括 AlphaGo 在内的人工智能技术融入到云计算平台，成为一种「更高级的云计算」。 发表于：2016/8/17 5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象 半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。 发表于：2016/8/16 基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC 氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被构造成具有集成栅极驱动器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。 发表于：2016/8/16 芯片里面有几千万的晶体管是怎么实现的？ 1. 当前CPU上的晶体管已经远远不是千万级别的概念，而是数个billion。 2. 目前最先进的制程工艺是Intel 刚刚公布的14nm工艺，Fin Pitch小于 50nm，可以说是技术上的一个飞跃了。关于所谓的14nm，实际只能初略的反映工艺的一个技术节点，真正的沟道长度要比14nm要长一些。 发表于：2016/8/16 晶体管出现的意义 晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。 同电子管相比，晶体管具有诸多优越性： ①晶体管的构件是没有消耗的。无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。 发表于：2016/8/16 晶体管工作原理是什么? 利用半导体的特性，每个管子工作原理个不同，你可以找机电方面的书看 下图中的S是指源极(Source)，D是指漏极(Drain)，G是栅极(Gate)。晶体管的工作原理其实很简单，就是用两个状态表示二进制的“0”和“1”。 发表于：2016/8/16 <…1456145714581459146014611462146314641465…>
