消费电子最新文章 此消彼长 iOS的平板份额为何才26％ 市场调研公司IDC不久前发布报告称，受平板电脑用户不愿对现有设备进行升级的影响，全球平板电脑市场仍处于萎缩之中。今年第二季度，平板电脑出货总量从4410万台下降至3870万台，较去年同期下滑了12.3%。 发表于：2016/8/24 京东方AMOLED可挠曲式面板紧追龙头三星 过去在可挠曲式面板投资不少经费的国内厂商京东方(BOE)，日前宣布，该公司的可挠曲式面板产品预计将在2017年正式推出，以抢占市场商机。 发表于：2016/8/24 联发科与Oppo兄弟情深 荐用高通芯片补缺口 联发科自2016年第2季以来，一路高喊手机芯片缺货，虽然没有明讲原凶是谁，但看到Oppo、Vivo手机出货量迭创新高，其中Oppo甚至在2016年下半还有可能撼动华为的龙头宝座，其实答案早就呼之欲出。 发表于：2016/8/23 face++ 人工智能引爆人脸识别新革命 驱雷策电驭水火，碎裂大地分全球。在技术的发展历程中，技术与人的关系不断发生演变。在技术处于机器的时代中，人虽然生产了机器，但也仅仅能俯瞰机器。随着技术与市场的推进，人机之间的关系逐渐得到改善。未来伴随着生物工程、人工智能和会聚技术的发展，人类与技术的距离将越来越近。 发表于：2016/8/23 Kaby Lake处理器性能提升的秘密 频率提升到4.5GHz 如果Intel的Tick-Tock战略没有停摆，那么今年我们就应该见到10nm工艺处理器了，但事实上今年Intel推出的第七代智能处理器Kaby Lake还是14nm工艺的，架构相比Skylake也没多大变化。如果Kaby Lake只有这点本事，那么它很难吸引消费者升级，不过Intel早前已经展示了蜜汁自信，认为虽然没有工艺升级，但他们依然能带来可观的性能提升。结合最新消息来看，Intel提升Kaby Lake性能的手段可能是提高频率，旗舰Core i7-7700K最高频率可达4.5GHz。 发表于：2016/8/23 未来20年8大趋势 无人驾驶满街跑 AI变成服务 未来20年最伟大的产品，现在还没出现。未来最大的巨头也不会是BAT们，也许未来20年这10大趋势值得关注，并将产生一批财富新贵！ 发表于：2016/8/23 里约奥运会 智能可穿戴设备竞技场 里约奥运已于 22 日上午闭幕，这届奥运充满了故事性，像是菲尔普斯从自杀边缘而至今日画下辉煌温暖的句点；新加坡泳将斯库林和偶像菲尔普斯于场上对决，最终为国家拿下第一面金牌；或是 18 歳的难民选手马蒂妮出赛，让世人看见难民求生存精神。 发表于：2016/8/23 PCI-E 4.0标准明年发布 PCI-E 5.0正在规划 PCI-E 2.0标准发布四年后的2010年，PCI-E 3.0标准规范历经磨难终于正式诞生，距今已经长达六年，在快速发展的科技行业内有些不可思议。 发表于：2016/8/23 在人工智能领域 微软如何“后发制人” “在科技面前，没有人能一直高高在上，时代会抛弃一切落伍者。”早前德国媒体的一句话早已深入人心。似乎也在警示着微软。 发表于：2016/8/23 智能手机的这些功能 全和高通相关 前不久，高通先后与OPPO和vivo达成了新的3G和4G中国专利许可协议，至此，高通已与魅族除外的逾200家中国公司达成了专利许可授权协议。为什么国内外手机厂商都要与高通签署专利协议呢，即便是不使用高通芯片的魅族也因为没有签署协议被起诉？ 发表于：2016/8/23 冰火两重天的显示屏 互相伤害的面板厂 据相关从业人员表示，受上游面板缺货影响，中小型显示模组企业，基本上产能减少了二到三成。 发表于：2016/8/23 手机重度患者福音 新型电池明年应用 伴随着手机功能越来越多样化，人们对于手机的依赖也越来越严重，续航也已经成为了人们购机考虑因素。在这一点上，众多手机品牌无一例外地从加大电池容量和缩短充电时间两方面着手。4000毫安以上的大电池手机层出不穷，各种快充技术也五花八门。 发表于：2016/8/23 如果没有三星 Android的境遇可能远远不如现在 《福布斯》网站撰稿人伊万·斯彭斯(Ewan Spence)日前发文指出，虽然Android手机在数量上大幅领先于iPhone，但从所占利润份额等其他数据来看，iPhone阵营处于明显的领先地位。作者认为，只有三星电子才能撑起Android平台大旗，以免让iPhone在高端智能手机领域出现一家独大的局面。以下为文章概要。 发表于：2016/8/23 用棉线也能制作晶体管? 意大利、法国和美国的材料科学家利用棉纤维制造出了两类电路和晶体管：其一是类似CPU晶体管的场效应晶体管，其二是可用于低电压切换的电化学晶体管，适合可穿戴式计算机使用。论文发表在《有机电子》期刊上。 发表于：2016/8/22 场效应晶体管开关电路 场效应晶体管开关电路 场效应晶体管（简称场效应管）有结型（J-FET）和绝缘栅型（MOS-FET）两类。 场效应管作为开关器件应用类似双极型三极管，许多场合可代替双极型三极管。然而与双极型二极管比较具有一些重要特性 发表于：2016/8/22 <…1450145114521453145414551456145714581459…>
