消费电子最新文章 GlobalFoundries取消10nm工艺 AMD下代处理器将直奔7nm 2016年各大晶圆厂的主流工艺都是14/16nm FinFET工艺，Intel、TSMC及三星明年还要推10nm工艺，由于Intel也要进军10nm代工了，这三家免不了一场大战。但是另一家代工厂GlobalFoundries已经决定不走寻常路了，他们确认会取消10nm工艺，直接杀向7nm工艺，这也意味着AMD未来处理器也会跳过10nm工艺直奔7nm工艺。 发表于：2016/8/18 内存技术路线图 DDR4提速2400MHz DDR5还需4年 经过2年多的发展，DDR4内存现在已经是非常平民了，价格与DDR3内存相差无几，但性能更强、功耗更低，只要你的平台支持，强烈建议选择DDR4内存。在IDF 2016会议上，Intel也公布了自家处理器的内存技术路线图，其中高性能产品线的DDR4内存会从2133MHz提高到2400MHz，下代Xeon平台则会搭配基于3D XPoint闪存的Optane内存，而DDR5内存预计会在2020年出现。 发表于：2016/8/18 Verizon 高通表示 Wi-Fi联盟LTE-U测试计划存在不公平 近日，LTE-U技术者对Wi-Fi联盟即将发布的最新LTE-U与Wi-Fi之间干扰的测试计划表示了强烈不满，Verizon则对此进行了声援。 发表于：2016/8/18 前苹果CEO推出一款“悬浮”显示屏安卓智能手机 Obi Worldphone是一家由前苹果和百事CEO John Sculley创办的公司，而该公司在英国将推出一款名为MV1的智能手机。这款智能手机搭载Android 5.1 Lollipop操作系统，希望为用户提供一个合理的价格以及更具创意的设计产品。 发表于：2016/8/18 RS Components扩展连接产品组合 中国北京，2016年8月17日 - 服务于全球工程师的分销商Electrocomponents plc (LSE:ECM)集团旗下的贸易品牌RS Components (RS) 公司延伸了其高质量自有品牌产品组合，新增EDAC 572和560系列IP67级别连接器，为LED照明、医疗、海事和水培养殖、门禁控制、户外标识和冷藏陈列等广泛的各种户外及坚固耐用的应用提供了简单、安全的连接。 发表于：2016/8/17 八路总线收发器具有热插入和总线保持功能 Diodes 公司推出能够在数据总线之间实现异步通信的74LVT245BB八路收发器，其控制引脚确定数据流方向，同时禁用三态输出，允许总路线完全隔离。数据总线以往主要用于计算机应用，现在电视机、机顶盒、基站和多种其它数据通信设备中广泛应用，为各种收发器电路提供了广阔的市场。 发表于：2016/8/17 MOS管技术:电源应用中场效应晶体管的崩溃效应 在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电源操作工作频率也要求越来越高。如此会造成较高的 di/dt 产生使得杂散电感效应加诸于场效应晶体管两端 (Drain & Source) 的瞬间电压会更加明显。尤其在电源开机的霎那间 , 此瞬间电压会达到最大值。这是由于变压器一次侧电感值相当于漏电感 ( 最小电感值 ) 而且输出电容完全未充电的状态所致。幸运的是一般场效应晶体管皆可承受高于某些程度的额定电压范围 , 在此条件范围内设计者并不需要增加额外的保护线路以避免不必要的成本支出。此篇文章可带领各位去判断何种条件下对场效应晶体管所造成的影响 , 进而帮助设计者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡点。 发表于：2016/8/17 增强型和耗尽型场效应晶体管 总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。 发表于：2016/8/17 电力双极型晶体管(GTR)详解 电力双极型晶体管(GTR)是一种耐高压、能承受大电流的双极晶体管，也称为BJT，简称为电力晶体管。它与晶闸管不同，具有线性放大特性，但在电力电子应用中却工作在开关状态，从而减小功耗。GTR可通过基极控制其开通和关断，是典型的自关断器件。 发表于：2016/8/17 同步轨至轨 单电阻降压型稳压器 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 8 月 16 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 ±5A 高效率、电流模式同步降压型稳压器 LTC3623，该器件采用单电阻可调节输出在 14.5V 直至 0V 范围。这种创新架构在凌力尔特先前的线性稳压器和开关稳压器上已得到证实，其采用一个 50µA 电流基准搭配单个电阻器以设定输出电压。 发表于：2016/8/17 单结晶体管工作原理 单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、符号和等效电呼如图1所示。 发表于：2016/8/17 光敏晶体管工作原理 光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 1．结构特点与符号 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。 光敏二极管在电路中的符号如图Z0129 所示。光敏二极管使用时要反向接入电路中，即正极接电源负极，负极接电源正极。 发表于：2016/8/17 功率场效应晶体管(MOSFET)原理 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。 发表于：2016/8/17 单结晶体管的工作原理与伏安特性电路图 单结晶体管具有负租特性，其工作原理和伏安特性见图1-31。 发表于：2016/8/17 光敏二极管和光敏晶体管结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似。 它装在透明玻璃外壳中, 其PN结装在管的顶部, 可以直接受到光照射。 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态（见图8-6所示）, 在没有光照射时, 反向电阻很大, 反向电流很小, 这反向电流称为暗电流。 当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, 使PN结附近产生光生电子和光生空穴对。它们在PN结处的内电场作用下作定向运动, 形成光电流。光的照度越大, 光电流越大。 因此光敏二极管在不受光照射时, 处于截止状态, 受光照射时, 处于导通状态。 发表于：2016/8/17 <…1455145614571458145914601461146214631464…>
