消费电子最新文章 华为麒麟2026芯片官方剧透 晶体管密度提升53.5％ 5 月 25 日消息，在今日的国际电路与系统研讨会（ISCAS 2026）上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波表示，将于今年秋季面世的麒麟手机芯片率先采用了逻辑折叠（LogicFolding）技术，性能大幅提升。根据演讲的 PPT 内容，华为麒麟 2026 芯片（未公布正式名称）相比传统的 2D 设计芯片，晶体管密度提升 53.5%，达到 238 MTr / mm²，P 核能效提升 41%，峰值频率提升 12.7%。 发表于：2026/5/25 四层面拆解华为半导体韬定律玄机 5月25日消息，在今天的国际电路系统研讨会ISCAS 2026上，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波发表了指导半导体产业发展的新原则韬定律。 发表于：2026/5/25 全球具身智能专利近20万件 中国贡献超过一半 日前，智慧芽创新研究中心发布《2026年具身智能技术发展报告》显示，当前全球具身智能专利累计数量已达近20万件，正式进入创新爆发期，其中，中国已成为全球具身智能技术创新主力，累计申请约10.3万件专利，贡献全球过半的相关专利。 发表于：2026/5/25 英特尔将推动AI CPU架构变革 转向专门构建硅芯片 5月23日消息，Intel股价近一年涨幅超五倍，核心驱动因素为AI时代CPU重要性大幅提升，CPU与GPU配比将调整为1:1，改变过往1颗CPU对应4到8颗GPU的配角定位。 Intel CEO陈立武在摩根大通全球会议上披露相关规划：将推动CPU架构变革，转向专门构建的硅芯片，对外与SambaNova合作布局加速器业务，内部推进自有AI研发计划，选择竞争不充分的赛道在性能、功耗、软件层面打造差异化优势，布局系统级全栈优化，同时关注I/O高速连接、光学技术领域机会，还将联合内存厂商优化内存、招募相关人才。目前相关AI CPU产品无明确落地时间，若两三年内专属AI设计的CPU未能落地，Intel或将错失相关机会。 发表于：2026/5/25 122TB SSD，华为展示新板级封装技术 5月24日，华为在巴黎IDI Forum 2026活动上，展示基于自研Die-on-Board板上裸片封装（DoB）技术的大容量SSD系列，目前已量产61.44TB和122.88TB两款产品，245TB版本处于规划中。 华为无法获取采用美国技术生产的最新3D NAND芯片，改用国内本土厂商生产的NAND闪存，通过该技术绕开3D NAND层数竞赛，跳过NAND芯片独立封装环节，单位空间容量密度提升33%，突破传统封装16层堆叠物理限制，最高可实现36层裸片堆叠。经专项技术攻关后该技术实现规模化商用，已全面应用于华为企业级存储产品线，大幅缩小华为存储产品与国际厂商的差距，为国产存储开辟了绕开3D NAND层数限制的新路径。 发表于：2026/5/25 苏姿丰：中国市场已占AMD全球总营收20% 5月24日消息，苏姿丰近日表示，中国内地市场当前占公司全球总营收约20%，是AMD全球布局中重要的组成部分，公司将持续深化在华合作与投入。 发表于：2026/5/25 HBM与GPU将采用分离封装+光互联架构 为解决人工智能（AI）芯片所面临的“内存墙”这一长期挑战，根据韩媒zdnet报导，内存封装领域正在讨论将图形处理单元（GPU）或ASIC计算单元和高带宽内存（HBM）拆分开来进行独立封装，然后通过“光学互联”技术来连接它们，可以将当前8颗HBM的安装数量提升到现在的数倍。 发表于：2026/5/25 三星以存储芯片的优先供应权为筹码拉拢联发科 5月22日消息，三星电子会长李在镕近期带领高层团队低调造访中国台湾，此行核心议程为会见联发科技首席执行官蔡力行。三星目前已获得特斯拉AI6芯片代工订单，正积极争取AMD的2nm工艺合作，此次接触联发科旨在将其纳入晶圆代工客户阵营，扩大代工业务市场份额，计划以旗下存储芯片优先供应权作为筹码，配合联发科即将发布的天玑系列移动SoC，该策略复刻了三星此前拉拢高通的代工方案。联发科与台积电近期合作出现调整，已将谷歌第八代TPU推理芯片的先进封装订单交给英特尔，仅保留训练芯片部分由台积电承接。业内分析称，三星代工业务近期增长较快，但要撼动台积电的行业地位仍存在较大挑战。 发表于：2026/5/22 基于台积电2nm制程 AMD Venice CPU正式量产 当地时间2026年5月21日，处理器大厂AMD宣布，其代号为“Venice”的新一代AMD EPYC™处理器，已在台积电位于中国台湾的先进2nm工艺技术上启动量产爬坡，并计划未来在台积电亚利桑那州晶圆厂进行生产。这一数据中心CPU路线图执行过程中的里程碑，展现了AMD在交付下一代云、企业和AI基础设施所需的领先性能和能效方面的持续进展。“Venice”是业界首款在台积电先进2nm工艺技术上进入量产阶段的高性能计算产品。 发表于：2026/5/22 比DRAM快1000倍 新存储器件实现40皮秒切换 5月21日消息，东京大学研究团队在自旋电子存储领域取得进展，成功演示了一种基于反铁磁材料锰锡（Mn₃Sn）的非易失性磁切换器件。 发表于：2026/5/21 英飞凌CoolGaN™ BDS 40 V G3产品系列专为便携式电源而设计 【2026年5月20日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展了其CoolGaN™ BDS 40 V G3双向开关（BDS）系列，推出了两款新产品：IGK048B041S和IGK120B041S。 发表于：2026/5/21 富士康遭入侵后续 超30份苹果服务器文档样本流出 5 月 21 日消息，科技媒体 AppleInsider 昨日（5 月 20 日）发布博文，通过分析泄露样本，发现今年 5 月富士康北美设施遭遇的网络攻击事件中，已流出超过 30 份苹果机密文件。 发表于：2026/5/21 中国最大NOR Flash代工厂终止IPO 新芯股份是中国大陆规模最大的NOR Flash制造厂商，拥有业界领先的代码型闪存技术。在数模混合领域，公司具备CMOS图像传感器全流程工艺，是国内CIS图像传感器主要代工厂之一。 发表于：2026/5/21 英伟达联手亚马逊开发存储新架构 GPU直接控制SSD 5月20日消息，据报道，英伟达与亚马逊正积极推进新一代存储架构研发，该架构将允许GPU直接操控SSD等存储设备，绕过传统CPU调度环节。英伟达计划率先在其下一代Vera Rubin AI平台上导入“GPU发起直接存储访问”（GIDS）技术。 发表于：2026/5/21 产量全球第四 长江存储启动IPO 5月19日，据证监会官网消息，国产存储芯片龙头长江存储控股股份有限公司（下称“长存集团”）正式提交了IPO上市辅导备案。辅导机构为中信证券和中信建投。 发表于：2026/5/20 <12345678910…>
