EDA与制造相关文章 基于Virtuoso Studio 平台FMC Yield Estimation 快速良率评估算法的研究与应用 探讨了 Cadence Virtuoso ADE 环境下，基于 AI 增强的 Fast Monte Carlo（FMC）分析方法。FMC 新增良率估计（Yield Estimation）算法的 GUI 支持，结合原有最差样本（Worst Samples）算法，构建了覆盖多场景的高 Sigma 良率分析方案。其核心是利用 AI 模型大幅减少仿真次数，解决传统蒙特卡洛算力消耗过大的问题。两种算法目标互补：Worst Samples 从海量样本中精准定位最差性能点与极端工艺角，评估设计鲁棒性；Yield Estimation 则在固定预算下，通过统计推断快速量化整体良率与故障率。实际流程中，先通过 Yield Estimation 完成良率摸底与方案评估，再用 Worst Samples 深挖关键 Sigma 水平的失效细节，指导电路优化。该方法为先进 IC 设计在高变异、高良率要求下的高效分析与调试提供了灵活的方法论支撑。 发表于：2026/8/12 Smart ECO 在关键block上的评估和应用 芯片流片前后，为修复设计缺陷或性能问题，通常需通过工程变更指令进行局部修改，同时尽量减少对整体设计的影响。目前主要依赖Conformal平台实现这一目标，但针对关键模块，其FEF流程生成的补丁规模较大，资源消耗较高，后端团队在集成结果至现有布局布线或收敛时序时面临显著挑战。经过多种工程变更指令流程评估与实践验证，Smart ECO流程在补丁规模和运行时长上展现出显著优势，有效降低资源占用，从而显著提升后端布局布线效率及时序验证的成功率，为芯片设计优化提供有力支持。 发表于：2026/8/12 美国对华存储禁令悄然删除低温刻蚀条款 8月12日消息，美国《硬件技术管制多边协调法案》（MATCH Act）在修订过程中，已悄然删除一项针对中国市场的低温刻蚀设备全国性禁令。该设备由美国泛林半导体与日本东京电子主导供应，是3D NAND闪存和先进DRAM制造的关键工序，该变动被外界解读为设备巨头游说下的妥协。 中国相关半导体企业正淡化美国出口管制的冲击：长鑫存储2026年一季度全球DRAM市场份额达7.6%跃居全球第四，2025财年收入达86亿美元，拒绝苹果压价诉求，其产能已被华为、小米等本土企业通过长期合同锁定；长江存储232层3D NAND芯片已实现稳定量产，部分产品性能参数追平国际头部企业。 发表于：2026/8/12 70%产能缺口！荷兰安世疯狂扩产马来西亚工厂 自2025年10月以来，在荷兰政府以“公司治理问题”为由的强行干预和荷兰企业法庭的禁令影响下，闻泰科技（Wingtech）旗下的安世半导体（Nexperia）荷兰公司和中国公司之间的对立仍在持续，这种“东西分裂”状态更是引发了全球汽车供应链的连锁反应。近日，荷兰《新鹿特丹商报》（NRC）通过实地探访与深度调查报道称，在与中国子公司分裂9个月之后，安世半导体斥资3亿欧元（约合人民币23.4亿元）推动马来西亚工厂疯狂扩产，以填补中国工厂空缺的封测产能。 发表于：2026/8/12 三星晶圆代工计划在1nm级制程节点实现High NA EUV商业应用 8 月 11 日消息，根据韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日的现场采访报道，来自三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队的 박창민 (Park Chang Min) 表示，该企业计划在 1nm 级工艺制程节点实现 High NA EUV 设备的商业化应用。 发表于：2026/8/12 SK海力士重启大连NAND闪存二厂建设 8 月 11 日消息，韩媒《首尔经济日报》今天（11 日）报道，SK海力士将重启停工多时的大连 NAND 闪存二厂建设，把当地整体产能提高约 50%。 发表于：2026/8/12 从闪迪到长鑫 内存长协扩散至二三线厂商 全球存储芯片供应紧张持续升温，长期供应协议（LTA）已从三星、SK海力士与美光三大厂，快速扩散至闪迪和中国长鑫存储，供需失衡格局正重塑整条产业链的定价权与议价逻辑。 发表于：2026/8/12 涨价潮从晶圆厂烧到封测 IC设计业进退两难 8月11日消息，当前晶圆厂除先进制程涨幅显著，已有不少供应商在第三季度启动12英寸成熟制程涨价，8英寸制程产能利用率逼近90%，封测代工端涨价频次更高。本轮涨价并非终端需求回升所致，而是AI相关订单排挤与大厂减产、转产下的结构性供给紧缩，业界已形成下半年供应端全环节同步调涨的共识。成本压力已传导至IC设计厂商，不少业者陷入自行消化成本承压、转嫁成本怕引发客户不满的两难，业内认为芯片议价权正从买方转向卖方，涨势预期可能延伸至2027年，行业毛利率保卫战刚进入中场。 发表于：2026/8/12 客户需求旺盛 ASML今年将在中国台湾招募超1000人 8月11日消息，台积电新竹与高雄的2nm晶圆厂已成功量产，台积电还调高了2026年资本支出，并宣布在台规划兴建13座先进制程晶圆厂与先进封装厂，如此庞大的扩产行动正推动对于相关半导体设备的巨大需求。作为全球光刻机龙头的ASML为了应对台积电的需求，也正在积极扩大在台湾的布局，今年更是将在台湾招聘超过1000名新员工。 发表于：2026/8/12 东芝持续减持 SK海力士成铠侠最大股东 8月11日消息，根据《日经新闻》的报导，日本最大NAND Flash制造商铠侠（Kioxia）发布公告称，其最大股东已由东芝（Toshiba）变更为特殊目的公司（SPC）-BCPE Pangea Cayman2（以下简称SPC2）。而SPC2正是韩国存储芯片大厂SK海力士通过可转换公司债（CB）形式进行投资的公司。所以，SK海力士一跃而成铠侠的最大股东。 发表于：2026/8/12 台积电5.5倍光罩尺寸CoWoS封装量产 8月11日，OCP APAC高峰会（2026 OCP APAC Summit）开幕，台积电先进封装技术暨服务副总经理何军发表主题演讲，谈论了在人工智能（AI）浪潮下台积电如何解决制程挑战难题，并透露5.5倍光罩尺寸CoWoS封装已量产，且良率稳定维持在98%以上。 发表于：2026/8/12 英特尔增发150亿美元股票 押注18A/14A工艺和先进封装 当地时间8月10日，英特尔（Intel）宣布计划通过过大规模增资发行新股，筹集150亿美元的资金，用以支持其成本高昂的芯片制造与晶圆代工扩建计划。 发表于：2026/8/11 三星在美陷入芯片专利诉讼 8 月 11 日消息，科技媒体 Android Headline 昨日（8 月 10 日）发布博文，报道称 Stellar Industries 已在美国对三星及其美国主要子公司发起专利诉讼，涉及 Galaxy S10 到 Galaxy S26 系列手机芯片。 发表于：2026/8/11 纳微起诉瑞萨氮化镓产品侵权 化合物半导体专利战升温 8 月 11 日消息，功率半导体企业 Navitas（纳微）当地时间 10 日宣布，已在美国得克萨斯州东区地区法院对 Renesas（瑞萨）提起专利侵权诉讼，指控瑞萨的主要氮化镓 (GaN) 产品线侵犯了该企业的多项该领域美国专利。 发表于：2026/8/11 消息称三星电子HBM4良率已接近 80% 产能爬坡加速 8 月 10 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间 9 日援引消息人士的话报道称，三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%，即将达成原定 2026 年底实现的目标；更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。 发表于：2026/8/11 <12345678910…>
